Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC.
Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение.
Pin-to-pin-совместимость с кремниевыми аналогами позволяет без труда произвести замену транзисторов в уже готовых решениях, увеличив при этом КПД на 0,1% на каждые 10 кГц. К примеру, замена кремниевого IGBT на гибридный CoolSiC IGBT в полумостовом преобразователе, работающем на частоте 23 кГц, позволит повысить КПД примерно на 0,23%.
Особенности:
- Низкие потери на переключение благодаря сочетанию технологий TRENCHSTOP 5 и CoolSiC;
- Высокий КПД;
- Pin-to-pin-совместимость с полностью кремниевыми аналогами;
- Низкое значение прямого напряжения (в том числе при высокой температуре);
- 2 типа корпуса: TO247-3pin и TO-247-4pin.
Области применения
- Зарядные устройства;
- Сварочные аппараты;
- Системы преобразования солнечной энергии;
- Системы накопления и хранения энергии;
- Источники бесперебойного питания (ИБП);
- Промышленные импульсные источники питания (SMPS).
Пример использования 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT
| Наименование | If @ 100°C, А | Vf @ 25°C, В | Корпус |
| IKW50N65SS5 | 60.5 | 1.35 | TO247-3 |
| IKW50N65RH5 | 56 | 1.35 | TO247-3 |
| IKW40N65RH5 | 46 | 1.35 | TO247-3 |
| IKW75N65RH5 | 75 | 1.35 | TO247-3 |
| IKW75N65SS5 | 80 | 1.35 | TO247-3 |
| IKZA40N65RH5 | 46 | 1.35 | TO-247-4pin |
| IKZA50N65RH5 | 56 | 1.35 | TO-247-4pin |
| IKZA50N65SS5 | 60.5 | 1.35 | TO-247-4pin |
| IKZA75N65RH5 | 75 | 1.35 | TO-247-4pin |
| IKZA75N65SS5 | 80 | 1.35 | TO-247-4pin |
