Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2).
Средний ток диодов — от 2 до 20 А. Они прекрасно подходят для использования в связке с super-junction MOSFET или IGBT. Область применения: импульсные выпрямители, источники питания, ККМ. Использование диодов поколения G5 позволяет повысить КПД системы относительно такой же системы на кремниевых диодах на величину до 1%.
Диоды 1200 В CoolSiC G5 характеризуются лучшим в своем классе значением прямого напряжения (Vf) и низкой зависимостью характеристик от изменения температуры.
Особенности:
- Нулевой заряд обратного восстановления (Qrr);
- Низкое значение прямого напряжения (в том числе при высокой температуре);
- Более высокое КПД по сравнению с кремневыми диодами;
- Высокая стойкость к скачкам тока;
- Двухконтактный корпус D2PAK (TO-263-2) с длиной пути утечки 4,7 мм и воздушным зазором 4,4 мм;
Области применения:
- Системы зарядки электромобилей;
- Сварочные аппараты;
- Системы преобразования солнечной энергии;
- Системы управления двигателем;
- Источники бесперебойного питания (ИБП);
- Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
Пример использования 1200 В CoolSiC G5 диода Шоттки
