Новые линейки микроконтроллеров STMicroelectronics STM32H723/733, STM32H725/735, STM32H730. Их отличительными особенностями являются богатый набор периферии и интерфейсов, а также относительно невысокая цена для высокопроизводительных микроконтроллеров с большим объемом памяти. Новые модели STM32H7 созданы на базе...

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше...

Компания Microchip расширила серию 16-битных контроллеров с USB-интерфейсом новыми устройствами. Подсерия GU2 является более компактной и доступной по цене в сравнении с существующей серией GU4. Максимальный объем памяти программ уменьшен до 64 кбайт, максимальное количество выводов корпуса уменьшено до 48. В подсерии отсутствуют LCD-контроллер...

Компания STMicroelectronics представила сертифицированный сетевой процессор BlueNRG-2N Bluetooth 5.0 с улучшенным энергопотреблением и поддержкой новейших функций Bluetooth, которые увеличивают пропускную способность и повышают конфиденциальность и безопасность данных (рисунок 1). Сетевой сопроцессор BlueNRG-2N предварительно запрограммирован и готов к подключению ко внешнему микроконтроллеру для обеспечения...

Компания STMicroelectronics выпустила первую в мире радиочастотную микросхему, объединяющую на одном кристалле микроконтроллер и приемопередатчик большой дальности LoRa/(G)FSK/(G)MSK/BPSK-диапазона от 140 до 960 МГц. Микросхема STM32WL выпускается в одноядерном (Cortex-M4) и двухядерном (ARM Cortex-M4 + Cortex-M0) вариантах и поддерживает работу в таких распространенных сетях...

Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем...

              К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом...

LSM6DSRX – то инерциальный MEMS-датчик STMicroelectronics, который включает цифровой 3D-акселерометр и 3D-гироскоп с расширенным диапазоном полной шкалы до 4000 dps и высокой стабильностью по температуре и времени. Датчик измеряет ускорения в диапазонах ± 2 / ± 4 / ± 8 /...

STMicroelectronics предлагает разработчикам миниатюрный модуль измерения дальности методом ToF на базе микросхемы VL53L1. Модуль VL53L1-SATEL может быть встроен непосредственно в прототип разрабатываемого изделия. Наличие источника напряжения облегчает использование модуля совместно с различными источниками в диапазоне от 2,8 до 5...

Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение....